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AL フォトリソグラフィー単層インダクタ、高周波回路における安定したインダクタンス。 ±1%、±2%、または±0.1nHの狭い公差、0201/0402/0603の小型サイズ、高SRF、優れたQ

アプリケーション:携帯電話、ポケットベル、無線LAN、GPS、VCO、TCXO回路、RFトランシーバモジュール、Bluetoothモジュール、高周波通信アプリケーション
WL 全自動組立用の小型巻線チップインダクタ 高い自己共振周波数と優れた高いQ、安定したはんだ付け性を提供する巻線セラミック構造。 0402/0603/0805/1008/1206の完全サイズ、±2%、5%、10%の厳しい公差

アプリケーション:携帯電話(CDMA / GSM / PHS)、ワイヤレスPDA、コードレス電話(DECT / CT1 / CT2)、リモートコントロール、セキュリティシステム、ワイヤレスLAN /マウス/キーボード、イヤホン、VCO、RFモジュール基地局、リピーター、GPS受信機、高周波通信アプリケーション、広帯域CATVフィルタ、チューナ、セットトップボックス、ITアプリケーション - USB2.0、IEEE1394。
CL-S SMD多層チップインダクタは、大量生産で高いコスト効率、高いQ、高いSRF、広いインダクタンス範囲、±5%、±10%、または±0.3nHの狭い許容誤差、0201/0402/0603/0805の小型サイズを提供

用途:携帯電話、ポケットベル、RF回路のEMI対策、高周波通信用途
NL フェライト巻線チップインダクタ、サイズ0805/1008/1210/1812/2220、ペンタイプとモールドタイプの両方が利用可能、大電流サポート。 自動実装用のこれらの革新的で信頼性の高い巻線チップインダクタは、電子機器の高密度化の傾向に対応して開発されました。 金属端子と耐熱樹脂のボディを使用して、これらのインダクタは強いはんだ付け性を提供します、非常に正確な寸法は、自動的に取り付けることができます、スーパーQ特性。

用途:マイクロテレビ、液晶テレビ、ビデオカメラ、ポータブルビデオ、カーラジオ、カーステレオ、薄型テープラジオ、テレビチューナー、携帯電話、ラジオ、その他の電子機器。
パワーインダクタ さまざまなアプリケーションのニーズに対応するための完全なサイズとさまざまな素材 高電流、低RDC、小型、薄型、シールド付き、およびシールドなしを用意、小型チップインダクタ

特殊フェライトコア

アプリケーション:ポケットベル、携帯電話、PC、ラップトップ、DC-DCコンバータ、DC電源、LCD TV、MP#プレーヤー、PGS、PDA、CDR-W、デジタルカメラ、VTR用電源、QA機器
CM フェライトコアと2ラインタイプの巻線を用いた小型チップインダクタ
ノイズ対策に非常に効果的です。 雑音帯域での高コモンモードインピーダンスと信号帯域での低差動モードインピーダンス

適用:あらゆる電子機器のためのEMIの放射ノイズの抑制。
パソコン・周辺機器用USBライン。
パーソナルコンピュータ、DVC、STB用のIEEE 1394ライン。
液晶パネル 低電圧差動信号(LVDS)
CB SMD多層チップビーズは、EMI対策における幅広い用途に費用対効果の高いソリューションを提供します。 一般的な使用、ハイパワーが利用可能です。

アプリケーション:コンピュータおよびコンピュータ周辺機器、デジタルカメラ、デジタルテレビ
AR 非常に厳しい公差±0.01%、0.05%、0.1%、0.25%、0.5%、1%、非常に低いTCR 5,10,15,25,50ppm /℃、1Ωの広いR値範囲を持つ薄膜パッシベーションNiCr抵抗〜3Mohm、フルサイズ0201/0402/0603/0805/1206/2010/2512。

アプリケーション:自動車、マザーボード、産業機器、自動機器制御装置、医療機器、テレコム機器、試験/計測機器、コンバータ、携帯電話
PR 耐酸性および耐湿性のための特別な不動態化NiCrフィルム。 吸湿性で安定した性能、長期の寿命安定性を保証し、Tantalumによって特徴付けられる耐食性の主張を実証しました。

アプリケーション:自動車、マザーボード、産業機器、自動機器制御装置、医療機器、テレコム機器、試験/計測機器、コンバータ、携帯電話
CSR SMDタイプ、先端薄膜技術 優れた全体的な安定性:クラス0.25 ニッケル製バリアに錫メッキされたスチール製キャップ。 Ni障壁層上の純Sn終端 0204,0207、0.1%、0.5%、1%の厳密な公差、TC10,15,25,50 ppm /℃を提供

適用:軍隊、自動車、テレコミュニケーション、医療機器、航空電子工学、スペース
MFR リードタイプ、先端薄膜技術。 全体的に優れた安定性
±0.1%、0.25%、0.5%、1%からの非常に厳しい耐性、±15,25,50,100PPM /℃からの極めて低いTCR

適用:軍隊、自動車、テレコミュニケーション、医療機器、航空電子工学、スペース
CS 低TCR用厚膜プロセス100ppm /℃、1225パッケージサイズで3W、1mohm〜1000mohmの超低抵抗、高電力損失用高純度アルミナ基板、0201/0402/0603/0805/1206/2010/2512 /の完全サイズ3720/7520/1225

アプリケーション:パワーマネージメント、スイッチング電源、電圧調整モジュール、DC-DCコンバータ、バッテリパック、充電器、アダプタ、自動車エンジン制御、ディスクドライバ、PDA、携帯電話
TCS ±0.5%、1%、5%、TCR 50,100ppm /℃、25Wパッケージサイズで3W、1mohmから1000mohmの非常に低いオーム、高電力損失のための高純度アルミナ基板の高精度、高信頼性の薄膜プロセス、 安定。

アプリケーション:パワーマネージメント、スイッチング電源、電圧調整モジュール、DC-DCコンバータ、バッテリパック、充電器、アダプタ、自動車エンジン制御、ディスクドライバ、PDA、携帯電話
LR 最大3Wの高ワット数定格、低TC 50、100ppm /℃、0.5m〜22mΩの超低オーム、
許容誤差は±1%、5%です。 非常に低いインダクタンスでトリミングされたレーザーなしで、カスタマイズされた抵抗が利用可能です

アプリケーション:ノートブック/マザーボード/電源管理用モニター、DC-DCコンバーター、充電器、アダプター
TR TO-220パッケージ20W / 30W / 35W / 50W(25 /℃)ケース温度ヒートシンクマウント、保護されたマウント付き、成形が簡単な、非誘導型。

アプリケーション:電源装置のゲート抵抗器、スナバ、CRTモニターの負荷およびダンプ抵抗器、RFパワーアンプの終端抵抗、電圧調整、UPS
シリコンキャパシタの薄膜プロセスは、高精度で安定した高Q、低TCCを提供します。MIMまたはMIS構造で利用可能です。MISキャパシタは上部および下部コンタクトを提供し、MIMキャパシタはシリコン基板の上部に両方の端子を持ちます。 カスタマイズされた仕様は要求あり次第です。
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