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Drahtgewickelte Leistungsdrossel (MLP-Serie)

0803 / 0805 / 0806 / 1004 / 1008 / 1310

Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität Files Download

Drahtgewickelte Ferrit-Chip-Hochleistungsinduktivität, kleine Abmessungen, geschlossener magnetischer Kreis vermeidet Übersprechen, geeignet für hochdichte Installation und Reflow-Löten. Verwendet in allen Arten von elektronischen Geräten, Computern, Wandlern.

Funktionen

Hohe Sättigungsstromwerte durch Materialeigenschaften und Strukturdesign erreicht.
Niedriger Gleichstromwiderstand für hohe Umwandlungseffizienz und geringere Temperaturerhöhung.
Magnetisch abgeschirmte Struktur zur Erzielung hoher Auflösung im EMC-Schutz.
Halogenfrei, bleifrei, RoHS-konform.

Anwendungen

Smartphone, PAD.
Dünne Stromversorgungsmodul.
DC-DC-Wandler.

Teilenummerierung

Wire wound Power inductor (MLP) - Part Numbering

Standard-Elektrische Spezifikationen

MLP03(0803) Wire Wound Type Power Inductor

Part No.	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	DCR (mΩ)		Isat (A)		Irms (A)
Part No.	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	typ.	max.
MLP03MTR24	0.24	± 20%	1MHz, 1V	22	26	6.70	6.00	4.70	4.10
MLP03MTR24	0.47	± 20%	1MHz, 1V	29	35	4.60	4.20	4.00	3.70

MLP05(0805) Wire Wound Type Power Inductor

Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	DCR (mΩ)		Isat (A)		Irms (A)		SRF (MHz) typ.	Q typ.
Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	typ.	max.					SRF (MHz) typ.	Q typ.
MLP05MT1R0	1.0	± 20%	1MHz, 1V	58	67	3.40	3.10	3.00	2.70		25

MLP06(0806) Wire Wound Type Power Inductor

Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	DCR (mΩ)		Isat (A)		Irms (A)		SRF (MHz) typ.	Q typ.
Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	typ.	max.					SRF (MHz) typ.	Q typ.
MLP06MTR24	0.24	± 20%	1MHz, 1V	17	21	5.60	5.05	5.00	4.50		30
MLP06MTR33	0.33	± 20%	1MHz, 1V	24	29	5.00	4.50	4.10	3.69		30
MLP06MTR47	0.47	± 20%	1MHz, 1V	33	40	4.04	4.00	3.50	3.15		30
MLP06MTR68	0.68	± 20%	1MHz, 1V	41	49	3.70	3.33	3.40	3.06		30
MLP06MT1R0	1.0	± 20%	1MHz, 1V	60	69	2.90	2.61	2.60	2.26	100	30
MLP06MT1R5	1.5	± 20%	1MHz, 1V	114	129	2.50	2.25	2.00	1.81	75	30
MLP06MT2R2	2.2	± 20%	1MHz, 1V	135	150	1.91	1.71	1.70	1.50	65	30

MLP04(1004) Wire Wound Type Power Inductor

Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	DCR (mΩ)		Isat (A)		Irms (A)		SRF (MHz) typ.	Q typ.
Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	typ.	max.					SRF (MHz) typ.	Q typ.
MLP04MTR22	0.22	± 20%	1MHz, 1V	9	12.5	7.90	7.20	5.90	5.30		30
MLP04MTR33	0.33	± 20%	1MHz, 1V	21	26	6.60	6.00	4.40	4.00		30
MLP04MTR47	0.47	± 20%	1MHz, 1V	27	32	5.00	4.50	3.90	3.51		30
MLP04MTR68	0.68	± 20%	1MHz, 1V	37	44	4.30	3.87	3.40	3.06	110	30
MLP04MT 1R0	1.0	± 20%	1MHz, 1V	45	54	3.50	3.15	3.00	2.70	95	30
MLP04MT 1R5	1.5	± 20%	1MHz, 1V	76	91	2.60	2.34	2.50	2.25	75	30
MLP04MT 2R2	2.2	± 20%	1MHz, 1V	99	119	2.40	2.16	2.30	2.07	60	30
MLP04MT 4R7	4.7	± 20%	1MHz, 1V	220	262	1.80	1.62	1.36	1.22	35	30

MLP08(1008) Wire Wound Type Power Inductor

Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	DCR (mΩ)		Isat (A)		Irms (A)		SRF (MHz) typ.	Q typ.
Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	typ.	max.					SRF (MHz) typ.	Q typ.
MLP08MTR47	0.47	± 20%	1MHz, 1V	21	25	5.30	4.95	4.60	4.18		30
MLP08MTR68	0.68	± 20%	1MHz, 1V	29	35	5.00	4.63	3.70	3.36	100	30
MLP08MT1R0	1.0	± 20%	1MHz, 1V	41	49	4.40	4.04	3.50	3.18	85	30
MLP08MT1R5	1.5	± 20%	1MHz, 1V	64	77	3.20	2.91	2.50	2.27	75	30
MLP08MT2R2	2.2	± 20%	1MHz, 1V	85	98	3.00	2.73	2.27	2.06	65	30
MLP08MT3R3	3.3	± 20%	1MHz, 1V	125	150	2.10	1.80	2.00	1.80	40	30
MLP08MT4R7	4.7	± 20%	1MHz, 1V	196	235	1.90	1.58	1.61	1.40	40	30

MLP10(1310) Wire Wound Type Power Inductor

Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	DCR (mΩ)		Isat (A)		Irms (A)		SRF (MHz) typ.	Q typ.
Part No	Inductance (μH)	Tolerance	Test Condition	MLP10MTR47	0.47	± 20%	1MHz, 1V	15	19	SRF (MHz) typ.	Q typ.	7.70	7.00	5.80	5.20	25
MLP10MTR68	0.68	± 20%	1MHz, 1V	16	20	6.20	5.80	5.30	4.70	100	25
MLP10MT1R0	1.0	± 20%	1MHz, 1V	25	32	5.50	5.00	4.90	4.40	85	25
MLP10MT1R5	1.5	± 20%	1MHz, 1V	45	54	4.80	4.30	3.40	3.10	65	25
MLP10MT2R2	2.2	± 20%	1MHz, 1V	60	72	4.00	3.50	3.00	2.70	50	25
MLP10MT3R3	3.3	± 20%	1MHz, 1V	95	109	3.40	2.90	2.30	2.00	40	25
MLP10MT4R7	4.7	± 20%	1MHz, 1V	150	168	2.80	2.40	1.70	1.40	35	25
MLP10MT6R8	6.8	± 20%	1MHz, 1V	190	210	2.401	2.10	1.50	1.20	30	25

Dateien herunterladen

MLP_Series Data Sheet (Edition REV.A4).pdf

RoHS-Bericht

RoHS-Bericht

MLP-Serie RoHS-Bericht

ERREICHEN

REACH-Erklärung - SVHC(Hsin Chu).pdf

Ergebnis 1 - 31 von 31

Image	Größe	Toleranz	Induktivität	Testbedingung	DCR (Ω) max.	I sat (A) max.	I rms (A) max.	Aktion
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	0.24	1MHz, 1mA	0.021	5.05	4.5	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	0.33	1MHz, 1mA	0.029	4.5	3.69	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	0.47	1MHz, 1mA	0.04	4	3.15	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	0.68	1MHz, 1mA	0.049	3.33	3.06	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	1	1MHz, 1mA	0.069	2.61	2.26	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	1.5	1MHz, 1mA	0.137	2.25	1.65	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	2.2	1MHz, 1mA	0.15	1.71	1.5	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	0.33	1MHz, 1mA	0.026	6	4	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	0.47	1MHz, 1mA	0.032	4.5	3.51	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	0.68	1MHz, 1mA	0.044	3.87	3.06	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	1	1MHz, 1mA	0.054	3.15	2.7	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	1.5	1MHz, 1mA	0.091	2.34	2.25	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	2.2	1MHz, 1mA	0.119	2.16	2.07	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	4.7	1MHz, 1mA	0.262	1.62	1.22	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	0.47	1MHz, 1mA	0.025	4.95	4.18	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	0.68	1MHz, 1mA	0.035	4.63	3.36	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	1	1MHz, 1mA	0.049	4.04	3.18	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	1.5	1MHz, 1mA	0.077	2.91	2.27	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	2.2	1MHz, 1mA	0.098	2.73	2.06	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	4.7	1MHz, 1mA	0.235	1.58	1.4	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	0.33	1MHz, 1mA	0.026	6.1	4	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	0.47	1MHz, 1mA	0.03	5.3	4.05	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	1	1MHz, 1mA	0.06	3.3	3	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	1.5	1MHz, 1mA	0.099	3.1	2.2	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	0806	±20%	2.2	1MHz, 1mA	0.14	2.45	2	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	0.47	1MHz, 1mA	0.029	6	4.4	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	1	1MHz, 1mA	0.052	4	3.1	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1004	±20%	2.2	1MHz, 1mA	0.11	3	2.1	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	0.47	1MHz, 1mA	0.022	6.2	4.9	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	1	1MHz, 1mA	0.044	4.3	3.3	Zur Liste hinzufügen Anfrage
Drahtgewickelte Hochleistungsinduktivität	1008	±20%	2.2	1MHz, 1mA	0.089	3.2	2.2	Zur Liste hinzufügen Anfrage

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Anwendung

AUTOMOBILANWENDUNGEN

Dünnschicht-Präzisionswiderstand 0,01%, TC2ppm, Drahtbondbar, Antikorrosiv, MELF. Stromsensoren, Metall,...

MEDIZINISCHE ANWENDUNGEN

Keramik-Hochfrequenz-Chip-Induktoren, kleine Größe bis 01005. Dünnschicht, Mehrschicht, Drahtgewickelt,...

KOMMUNIKATIONSANWENDUNGEN

Multilayer Ceramic Kondensator bietet hohe Spannung, hohe Frequenz, geringes Rauschen, hohe Güte, geringe...

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